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MRF5812R1

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package

MicrosemiMicrosemi Corporation

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更多MFR5812R1供应商 更新时间2024-5-31 8:36:00