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MIR521	文件：433.31 Kbytes Page：6 Pages	2WattsHighIn/OutIsolationDIPDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIR521	文件：236.06 Kbytes Page：6 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON40VOLTS40WATTS PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc •Complementaryto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A •ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS •Designedforuseingeneral−purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDT521DW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
ME521A
制造商：
Black Box Corporation
功能描述：
MP485/35 MULTIPOINT LINE DRV/

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	ME52F88EM-75F		24+	TSSOP	142		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	ME52N06	F	TO-252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	ME52N06	F	23+	TO-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	ME52N06	MATSUKI	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ME52N06	MATSUKI	20+	TO-252	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	ME52N06A	MATSUKI	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	ME52N06A	MATSUKI	24+	NA/	50000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	ME52N06A	Matsuki	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市宏兴瑞科技有限公司	ME52N06A	MATSUKI	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价
深圳市鹏和科技有限公司	ME52N06A-G	Matsuki	24+	TO-252	5000	全现原装公司现货	询价

更多ME521A供应商更新时间2025-5-21 15:30:00

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