MDS70数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF
技术参数
- 产品编号:
MDS70
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
65V
- 频率 - 跃迁:
1.03GHz ~ 1.09GHz
- 增益:
10.3dB ~ 11.65dB
- 功率 - 最大值:
225W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 500mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
5A
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55CX
- 供应商器件封装:
55CX
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi Corporation |
25+ |
55CX |
9350 |
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GUERTE |
24+ |
MODULE |
300 |
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四菱 |
2023+ |
MODULE |
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GUERTE |
23+ |
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Microsemi |
1942+ |
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JST/日压 |
2508+ |
/ |
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JST |
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JST/日压 |
22+ |
连接器 |
728922 |
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IR |
22+ |
MODULE |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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