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MDS50分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	MDS50
参数属性	MDS50 封装/外壳为55ST；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST
功能描述	DIODE / SCR MODULE
封装外壳	55ST
文件大小	399.06 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	STMicroelectronics
企业简称	STMICROELECTRONICS【意法半导体】
中文名称	意法半导体集团官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 22:34:00
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MDS50规格书详情

DESCRIPTION

Packaged in ISOTOP modules, the MDS Series is based on the half-bridge SCR-diode configuration. They are suitable for high power applications, using phase controlled bridges, such as soft-start circuits, welding equipment, motor speed

controller. The compactness of the ISOTOP package allows high power density and optimized power bus connections. Thanks to their internal ceramic pad, they provide high voltage insulation (2500V RMS), complying with UL standards (File

ref: E81734)

产品属性

产品编号：
MDS500L
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
70V
频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
9.2dB
功率 - 最大值：
833W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
24A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55ST
供应商器件封装：
55ST
描述：
RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST

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