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MDF5N50TH	文件：321.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：321.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDF5N50TH	文件：1.01229 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4(ohm) 文件：1.01229 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF5N50TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDIS5N50	文件：966.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm) 文件：966.38 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDIS5N50TH	文件：966.38 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm) 文件：966.38 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDIS5N50TH	文件：364.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：364.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MDF5N50TH供应商更新时间2025-12-8 16:28:00