MDD5N50RH资料使用说明书供应商报价ISC-114ic电子网

首页 >MDD5N50RH>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
MDD5N50RH	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 4.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：352.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDD5N50RH	文件：971.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm) 文件：971.05 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDD5N50RH	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDF5N50	文件：1.01229 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4(ohm) 文件：1.01229 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF5N50BTH	文件：1.15233 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4(ohm) 文件：1.15233 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF5N50BTH	文件：321.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：321.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MDD5N50RH供应商更新时间2026-1-17 10:43:00