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MD51V65165E-50TAZ0AR中文资料IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II数据手册ROHM规格书
| 厂商型号 |
MD51V65165E-50TAZ0AR |
| 参数属性 | MD51V65165E-50TAZ0AR 封装/外壳为50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II |
| 功能描述 | IC DRAM 64M PARALLEL 50TSOP II |
| 封装外壳 | 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 22:50:00 |
| 人工找货 | MD51V65165E-50TAZ0AR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MD51V65165E-50TAZ0AR规格书详情
简介
MD51V65165E-50TAZ0AR属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的MD51V65165E-50TAZ0AR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：MD51V65165E-50TAZ0AR
- 生产厂家
：ROHM
- 存储器格式
：DRAM
- 技术
：DRAM
- 存储容量
：64Mb （4M x 16）
- 写周期时间 - 字，页
：84ns
- 访问时间
：25ns
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：3V ~ 3.6V
- 工作温度
：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：50-TSOP（0.400\，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装
：50-TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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