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MMBT2369	文件：1.04553 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBT2369(A)LT1	文件：386.11 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistors	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT2369A	文件：182.8 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT2369A	文件：165.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：98.98 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors SurfaceMountSi-Epi-PlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingta	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
MMBT2369A	文件：167.88 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE15VoltsPOWER225mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=15V •CollectorcurrentIC=200mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-23,Plastic •Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT2369A	文件：520.409 Kbytes Page：14 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：198.06 Kbytes Page：6 Pages	NPNSwitchingTransistor NPNSwitchingTransistor Thisdeviceisdesignedforhighspeedsaturationswitchingatcollectorcurrentsof10mAto100mA.SourcedfromProcess21.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT2369A	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT2369A	文件：1.04915 Mbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Useasamediumpoweramplifier.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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产品属性

产品编号：
MD2369B
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
500MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
供应商器件封装：
TO-78-6
描述：
TRANS 2NPN 500MA 15V TO78-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	MD2369B	Central Semiconductor Corp	2022+	TO-78-6	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MD2369B	Central Semiconductor Corp	25+	TO-78-6 金属罐	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市杰兴微电子有限公司	MD2400003	DIODES/美台	23+	SMD	38628	原装现货	询价
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