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MD2310FX中文资料High voltage npn power transistor for standard definition crt display数据手册ST规格书

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厂商型号

MD2310FX

参数属性

MD2310FX 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 14A TO3PF

功能描述

High voltage npn power transistor for standard definition crt display
TRANS NPN 700V 14A TO3PF

封装外壳

TO-3P-3 整包

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-29 11:09:00

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MD2310FX规格书详情

特性 Features

• State-of-the-art technology:diffused collector “enhanced generation”
• Low base drive requirement
• More stable performance versus operating temperature variation
• Fully insulated power package U.L. compliant
• Tighter hFE range at operating collector current

简介

MD2310FX属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MD2310FX晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MD2310FX

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :NRND

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :700

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :1500

  • Collector Current_max(A)

    :14

  • Dc Current Gain_min

    :5.5

  • Dc Current Gain_max

    :8.5

  • Test Condition for hFE (IC)

    :14

  • VCE(sat)_max(V)

    :3

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :7

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :1750

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