MD2103DFX中文资料High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
MD2103DFX |
| 参数属性 | MD2103DFX 封装/外壳为TO-3P-3 整包；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 700V 6A TO3PF |
| 功能描述 | High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display |
| 封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 20:00:00 |
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MD2103DFX规格书详情
简介
MD2103DFX属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MD2103DFX晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
MD2103DFX
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.8V @ 750mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
200µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
6.5 @ 3A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-3PF
- 描述：
TRANS NPN 700V 6A TO3PF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO3P |
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ST/意法 |
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ST |
TO3P |
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ST |
24+ |
TO-218F-3 |
8866 |
询价 |
