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N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package. | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司 | SKTECHNOLGY | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-ChEnhancementModePowerMOSFET | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNEL30V-9.2mohm-40A-DPAK/IPAKSTripFETTMIIIPowerMOSFET Description ThisproductutilizesthelatestadvanceddesignrulesofST’sproprietarySTripFET™technology.ThisissuitableforthemostdemandingDC-DCconverterapplicationwherehighefficiencyistobeachieved. Generalfeatures ■RDS(on)*Qgindustry’sbenchmark ■Conductionlossesreduc | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MCC/美微科 |
24+ |
DPAK |
360000 |
交期准时服务周到 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK |
986966 |
国产 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
ROHS+Original |
原封阻容元件 |
1000000 |
询价 | |||
MCC |
17+ |
20000 |
询价 | ||||
MCC(美微科) |
2447 |
DPAK |
105000 |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
Micro Commercial Co |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
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