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STRH12P10	文件：421.82 Kbytes Page：15 Pages	Rad-Hard100V,12A,P-channelPowerMOSFET Features •Fastswitching •100avalanchetested •Hermeticpackage •100kradTID •SEEradiationhardened Description TheSTRH12P10isaP-channelPowerMOSFETabletooperateundersevere environmentconditionsandradiationexposure. Itprovideshighreliabilityperformanceandimmu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STRH12P10GYG	文件：421.82 Kbytes Page：15 Pages	Rad-Hard100V,12A,P-channelPowerMOSFET Features •Fastswitching •100avalanchetested •Hermeticpackage •100kradTID •SEEradiationhardened Description TheSTRH12P10isaP-channelPowerMOSFETabletooperateundersevere environmentconditionsandradiationexposure. Itprovideshighreliabilityperformanceandimmu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STRH12P10GYT	文件：421.82 Kbytes Page：15 Pages	Rad-Hard100V,12A,P-channelPowerMOSFET Features •Fastswitching •100avalanchetested •Hermeticpackage •100kradTID •SEEradiationhardened Description TheSTRH12P10isaP-channelPowerMOSFETabletooperateundersevere environmentconditionsandradiationexposure. Itprovideshighreliabilityperformanceandimmu	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
UTT12P10	文件：242.42 Kbytes Page：6 Pages	100V,12AP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
V12P10	文件：105.68 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomaticplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V12P10	文件：92.17 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V12P10	文件：110.92 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多MCU12P10-TP供应商更新时间2025-5-23 15:01:00

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