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CJP02N80	文件：422.85 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJU02N80	文件：1.50205 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU02N80	文件：691.21 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
SPP02N80	文件：296.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·IndustrialwithhighDCbulkvoltage ·Switching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSRF02N80SL	文件：507.89 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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更多MCU02N80-TP供应商更新时间2025-5-23 10:01:00