MCT5210M中文资料6 引脚 DIP 低输入电流光电晶体管输出光耦合器数据手册ONSEMI规格书
MCT5210M规格书详情
描述 Description
MCT52XXM系列包括一个高效率砷化铝镓红外线发光二极管，与一个NPN光电晶体管耦合，采用一个六引脚双列直插封装。MCT52XXM非常适合CMOS到LSTT/TTL的接口，提供250% CTR CE(SAT)，LED输入电流为1mA。 当LED输入电流加载为1.6mA时，数据速率可高达20K bits/s。MCT52XXM能简单地将LSTTL与LSTTL/ TTL连接，并且通过使用一个外部基级到发射器电阻达到高达100K bits/s的数据速率。
特性 Features
•与达灵顿相比高CTRCE(SAT)
•CTR保证0°C到70°C
•高共模瞬变抑制：5kV/µs
•数据速率最高可达150kbits/s (NRZ)
•获得保险商实验室(UL)认证（文件编号E90700，第2卷）
•已获IEC60747-5-2认证（订购选项V）
应用 Application
• 消费型设备
• 工业级电机
技术参数
- 制造商编号
：MCT5210M
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channels
：1
- CTR (Min) (%)
：70
- CTR (Max) (%)
：-
- CTR tested @ IF (mA)
：3
- VCE(sat) (Max) (V)
：0.4
- BVCEO (Min) (V)
：30
- BVCBO (Min) (V)
：30
- BVECO (Min) (V)
：5
- ton (Max) (µs)
：7
- toff (Max) (µs)
：8
- VISO (Min) (V)
：4200
- TOPR (Min) (°C)
：-40
- TOPR (Max) (°C)
：100
- Package Type
：PDIP-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
0N |
24+ |
NA/ |
4001 |
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DIP6 |
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25+ |
原装 |
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