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MCP6V99T-E/Y	文件：2.41262 Mbytes Page：52 Pages	10 MHz, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C (maximum) - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.24 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.08 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 文件：2.41262 Mbytes 页数：52 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MCP6V99T-ESLASHLTY	文件：2.41262 Mbytes Page：52 Pages	10 MHz, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C (maximum) - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.24 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.08 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 文件：2.41262 Mbytes 页数：52 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MCP6V99T-ESLASHOT	文件：2.41262 Mbytes Page：52 Pages	10 MHz, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C (maximum) - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.24 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.08 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 文件：2.41262 Mbytes 页数：52 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
MCP6V99T-ESLASHST	文件：2.41262 Mbytes Page：52 Pages	10 MHz, Zero-Drift Op Amps Features • High DC Precision: - VOS Drift: ±150 nV/°C (maximum) - VOS: ±25 μV (maximum) - AOL: 111 dB (minimum, VDD = 5.5V) - PSRR: 110 dB (minimum, VDD = 5.5V) - CMRR: 112 dB (minimum, VDD = 5.5V) - Eni: 0.24 μVP-P (typical), f = 0.1 Hz to 10 Hz - Eni: 0.08 μVP-P (typical), f = 0.01 Hz to 文件：2.41262 Mbytes 页数：52 Pages	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

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