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MCP6072T-E/MNY	文件：699.74 Kbytes Page：34 Pages	110 關A, High Precision Op Amps Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6071/2/4familyofoperationalamplifiers(opamps)haslowinputoffset voltage(±150µV,maximum)andrail-to-railinputandoutputoperation.Thisfamilyisunitygainstableandhasagainbandwidthproductof1.2MHz(typical).Thesedevices	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
MCP6072T-E/MNY	文件：856.16 Kbytes Page：42 Pages	110 μA, High Precision Op Amps Description TheMicrochipTechnologyInc.MCP6071/2/4familyof operationalamplifiers(opamps)haslowinputoffset voltage(150μV,maximum)andrail-to-railinputand outputoperation.Thisfamilyisunitygainstableand hasagainbandwidthproductof1.2MHz(typical). Thesedeviceso	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司
6072	文件：36.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,EIGHTTHROWCOMMERCIALCONNECTORIZEDPLUG-INSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.
BD6072HFN	文件：313.84 Kbytes Page：6 Pages	Synchronousrectificationstep-upDC/DCconverterformobilephone	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD6072HFN	文件：675.74 Kbytes Page：30 Pages	WhiteBacklightLEDDriversforSmalltoMediumLCDPanels(SwitchingRegulatorType)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
BD6072HFN-TR	文件：545.18 Kbytes Page：17 Pages	BoostDC/DCconverter,AdjustmentofbrightnessbyexternalPWMpulse	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CEC6072	文件：650.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,54A,RDS(ON)=9mW@VGS=10V. RDS(ON)=13mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CED6072AL	文件：437.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=11mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEM6072AL	文件：424.06 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,12.5A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEU6072AL	文件：437.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=11mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEZC6072AL	文件：995.75 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,45A,RDS(ON)=8.5mW@VGS=10V. RDS(ON)=12mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
D6072	文件：215.91 Kbytes Page：2 Pages	SIL2MultifunctionTemperatureConverter FEATURES SIL2/SC3 InstallationinZone2(pending) InstallationinDiv.2 mV,TC,2/3/4wireres./RTDorpotentiometerinput Duplication/inversion/scaling/customoutput SelectableCJC:internalPT1000,externalRTDorfixed Fastestintegrationtime:50ms Burnout/internal/cjc/insensor	GMIG.M. International Gm 国际公司
D6072D	文件：215.91 Kbytes Page：2 Pages	SIL2MultifunctionTemperatureConverter FEATURES SIL2/SC3 InstallationinZone2(pending) InstallationinDiv.2 mV,TC,2/3/4wireres./RTDorpotentiometerinput Duplication/inversion/scaling/customoutput SelectableCJC:internalPT1000,externalRTDorfixed Fastestintegrationtime:50ms Burnout/internal/cjc/insensor	GMIG.M. International Gm 国际公司
D6072S	文件：215.91 Kbytes Page：2 Pages	SIL2MultifunctionTemperatureConverter FEATURES SIL2/SC3 InstallationinZone2(pending) InstallationinDiv.2 mV,TC,2/3/4wireres./RTDorpotentiometerinput Duplication/inversion/scaling/customoutput SelectableCJC:internalPT1000,externalRTDorfixed Fastestintegrationtime:50ms Burnout/internal/cjc/insensor	GMIG.M. International Gm 国际公司
FWA-6072	文件：1.26695 Mbytes Page：2 Pages	2URackmountNetworkAppliancewith4thGenerationIntel®Xeon®ScalableProcessorforNFV Features Upto52coresforNFVneedswithsingle4thGenerationIntel®Xeon® scalableprocessors Upto16DDR5RDIMMmemorytoboostcomputingcapability 8xNMCwithPCIeGen5fornetworking(CompatiblewithGen4&Gen3) Highavailabilitysystemwithredundantsolutions Managing	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
H6072FNL	文件：474.45 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,1GPP,1:1,SM,TU	pulse Pulse Electronics
H6072NL	文件：324.77 Kbytes Page：3 Pages	MDL,SIN,1GPP,1:1,SM,TU	pulse Pulse Electronics
IN6072	文件：147.93 Kbytes Page：2 Pages	1500WATTSPEAKPOWERDISSIPATION	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
KIA6072	文件：457.1 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(FMPROCESSOR) FMPROCESSOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社
KIA6072F	文件：457.1 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(FMPROCESSOR) FMPROCESSOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社

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详细参数

型号：
MCP6072T-E/MNY
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual 1.8V 1MHz Op Amp E temp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市云美电子科技有限公司	MCP6072T-E/MNY	Microchip	22+	NA	55270	只做原装进口货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MCP6072T-E/MNY	Microchip Technology	23+	8-WFDFN 裸露焊盘	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市保之丰科技有限公司	MCP6072T-E/MNY	MICROCHIP/微芯	21+	N/A	27300	主打品牌,只做原装,询价必回	询价
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更多MCP6072T-E/MNY供应商更新时间2024-4-27 15:31:00

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