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6042	文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEPOLE,SINGLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHES	MICRONETICSMicronetics, Inc. Micronetics, Inc.
6042B	文件：38.73 Kbytes Page：1 Pages	ExtraLargeAlligatorClipWith4mmSheathSafetyJack	POMONA Pomona Electronics
6042C	文件：68.83 Kbytes Page：2 Pages	Component112X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
BD6042GUL	文件：194.32 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
CBM6042	文件：1.45456 Mbytes Page：17 Pages	OPERATIONINSTRUCTION	COREBAICoreBai Microelectronics 芯佰芯佰微电子(北京)有限公司
CEB6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEB6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP6042	文件：648.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP6042	文件：427.03 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,118A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU6042	文件：475.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,90A,RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU6042	文件：1.21191 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=60V,ID=130A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
CHA6042	文件：90.64 Kbytes Page：6 Pages	13-16GHzHighPowerAmplifier Description TheCHA6042isafour-stagepHEMTHPAMMICdesignedforVSATgroundterminalsandotherradioapplications.TheCHA6042provides32dBmnominaloutputpowerat1dBgaincompressionoverthe13-16GHzfrequencyrange,and32dBsmall-signalgain.Thisproductwillbeavailableinchipf	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors
DMNH6042SPD	文件：562.56 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMNH6042SPDQ	文件：637.25 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMNH6042SPS	文件：543.87 Kbytes Page：7 Pages	60V175째CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPOWERDI	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMNH6042SPSQ	文件：542.45 Kbytes Page：7 Pages	60V175°CN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETPOWERDI Features Ratedto+175°C–IdealforHighAmbientTemperature Environments 100UnclampedInductiveSwitching–EnsuresMoreReliable andRobustEndApplication LowRDS(ON)–MinimizesPowerLosses LowQg–MinimizesSwitchingLosses Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) Halogenan	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMNH6042SSD	文件：410.82 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNEL175CMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMNH6042SSDQ	文件：451.22 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
EN6042A	文件：81.08 Kbytes Page：9 Pages	Thick-FilmHybridICUnipolarFixed-CurrentChopper(Self-ExcitedPWM)SchemeandBuilt-inPhaseSignalDistributionICTwo-PhaseSteppingMotorDriver(SquareWaveDrive)OutputCurrent2.4A Overview TheSTK672-120-Eisaunipolarfixed-currentchoppertype2-phasesteppingmotordriverhybridIC.ItfeaturespowerMOSFETsintheoutputstageandabuilt-inphasesignaldistributionIC.TheincorporationofaphasedistributionICallowstheSTK672-120-Etocontrolthespeedofthe	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社

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详细参数

型号：
MCP6042-E/P
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual 1.6V 10KHz
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MCP6042-E/P	Microchip Technology	23+	8-DIP(0.300,7.62mm)	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MCP6042-E/P	MICROCHIP(美国微芯)	23+	PDIP-8	7835	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市勤思达科技有限公司	MCP6042-E/P	MICROCHI	23+	原厂原装	6800	原装无铅,现货库存	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MCP6042-E/P	Microchip	23+	8-DIP	11923		询价
深圳市特顺芯科技有限公司	MCP6042-E/P	MICROCHIP	08+	sopdip	10800		询价
深圳市恒创达实业有限公司	MCP6042-E/P	MICROCHIP	17+		6200	100%原装正品现货	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	MCP6042-E/P	MicrochipTechnology	17+	原厂原装	6000	进口原装正品假一赔十,货期7-10天	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MCP6042-E/P	MICROCHIPTEC	23+	NA	13650	原装正品,假一罚百!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MCP6042-E/P	MicrochipTechnology	18+	28SOIC	6800	ICOPAMP1.4VDUALR-R8DIP	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	MCP6042-E/P	MicrochipTechnology	19+	8-PDIP	56800	只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票!	询价

更多MCP6042-E/P供应商更新时间2024-4-24 11:13:00

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