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MP6004GQ	文件：1.9302 Mbytes Page：23 Pages	Primary-SideRegulatedFlyback/Buck80VDCDCConverter	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP6004GQ	文件：1.33221 Mbytes Page：8 Pages	Primary-sideRegulateFlybackEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MSN6004D	文件：794.18 Kbytes Page：5 Pages	600V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSN6004F	文件：691.63 Kbytes Page：5 Pages	600V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSN6004Z	文件：793.99 Kbytes Page：5 Pages	600V(D-S)N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半导体摩矽半导体有限公司	MORESEMI
MSOX6004A	文件：2.63141 Mbytes Page：41 Pages	InfiniiVision6000X-SeriesOscilloscopes	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
MSOX6004A	文件：3.29093 Mbytes Page：45 Pages	InfiniiVision6000X-SeriesOscilloscopes	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
MX6004	文件：522.679 Kbytes Page：3 Pages	4-portDin-railLayer3ManagedEthernetswitches	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
N6004NZ	文件：264.73 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,4A,2.0Ω Description TheN6004NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=2.0ΩMAX.(VGS=10V,ID=2.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=900pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±4.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NCE6004	文件：772.61 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6004usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCP6004STE/ST供应商更新时间2025-5-15 16:12:00

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