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HFBR14E6TB	文件：700.72 Kbytes Page：31 Pages	LowCost,MiniatureFiberOpticComponentswithST,SMA,SCandFCPorts Description TheHFBR-0400Seriesofcomponentsisdesignedtoprovidecosteffective,highperformancefiberopticcommunicationlinksforinformationsystemsandindustrialapplicationswithlinkdistancesofupto4kilometers.WiththeHFBR-24X6,the125MHzanalogreceiver,dataratesofupt	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-14E6TC	文件：288.97 Kbytes Page：25 Pages	ComponentsisDesignedtoProvidecosteffective,Highperformancefiberopticcommunicationlinks Description TheHFBR-0400Seriesofcomponentsisdesignedtoprovidecosteffective,highperformancefiberopticcommunicationlinksforinformationsystemsandindustrialapplicationswithlinkdistancesofupto4kilometers.WiththeHFBR-24X6,the125MHzanalogreceiver,dataratesofupt	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-14E6TM	文件：288.97 Kbytes Page：25 Pages	ComponentsisDesignedtoProvidecosteffective,Highperformancefiberopticcommunicationlinks Description TheHFBR-0400Seriesofcomponentsisdesignedtoprovidecosteffective,highperformancefiberopticcommunicationlinksforinformationsystemsandindustrialapplicationswithlinkdistancesofupto4kilometers.WiththeHFBR-24X6,the125MHzanalogreceiver,dataratesofupt	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HFBR-14E6TZ	文件：391.98 Kbytes Page：25 Pages	Low-Cost,820nmMiniatureLinkFiberOpticComponentswithST,SMA,SC,andFCPorts Features RoHScompliant Low-costtransmittersandreceivers ChoiceofST,SMA,SC,orFCports 820nmwavelengthtechnology Signalratesupto160MBaud Linkdistancesuptoseveralkilometers Compatiblewith50/125μm,62.5/125μm,100/140μm,and200μmPlastic-CladSilica(	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
MCP14E6	文件：877.65 Kbytes Page：30 Pages	2.0ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDriverWithEnable	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP14E6T	文件：877.65 Kbytes Page：30 Pages	2.0ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDriverWithEnable	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
MCP14E6T-E/MF
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
12ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-DFN-S（6x5）
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN

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