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IIRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：338.76 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407	文件：127.66 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078ohm,Id=130A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407L	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407L	文件：331.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407LPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRF1407LPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407PBF	文件：167.92 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description ThisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407PBF	文件：271.93 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407S	文件：189.06 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1407S	文件：159.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0078??Id=100A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407SPBF	文件：258.07 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET(VDSS=75V,RDS(on)=0.0078廓,ID=100A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407SPBF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRF1407SPBF	文件：259.029 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF1407STRLPbF	文件：578.95 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
KI1407DL	文件：52.24 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KS1407N	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1407N	文件：153.8 Kbytes Page：1 Pages	7mmADJUSTABLEIFTCOILS(II)(SHIELDED)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KS1407N-LFR	文件：97.05 Kbytes Page：1 Pages	7mmAdjustableshieldedIFTCoil(II)	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
KSV1407	文件：35.07 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGDIODES TheKSV1400Seriesofhyperabruptvaractorsofferhighcapacitanceratioswithlineartuningbetween2and8volts. Theunitsareavailableoverabroadrangeofjunctioncapacitances,satisfyingalargenumberofbroadbandapplicationsthrutheVHFfrequencyband.	KNOXKnox Semiconductor, Inc Knox Semiconductor, Inc	KNOX

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详细参数

型号：
MCP1407T-E/AT
制造商：
MICROCHIP
制造商全称：
Microchip Technology
功能描述：
6A High-Speed Power MOSFET Drivers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MCP1407TE/MF	Microchip	22+	8DFNS (6x5)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	MCP1407TE/MF	Microchip	21+	8DFNS (6x5)	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市吉铭电子科技有限公司	MCP1407TE/MF	Microchip	21+	8DFNS (6x5)	610880	本公司只售原装支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	MCP1407TE/MF	Microchip	23+	8DFNS (6x5)	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MCP1407TE/MF	Microchip	23+	8DFNS (6x5)	8000	只做原装现货	询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	MCP1407T-E/MF	MicrochipTechnology	2022	ICMOSFETDRIVER6AHS8DFN	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	MCP1407T-E/MF	MicrochipTechnology	2019+	8-DFN-S(6x5)	65500	原装正品货到付款,价格优势!	询价
深圳市湘达电子有限公司	MCP1407T-E/MF	MICROCHIP/微芯	20+	08LDFN-S6x5	6600	绝对全新原装现货,欢迎来电查询	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	MCP1407T-E/MF	Microchip	23+	8DFNS	10000	原厂原装正品现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MCP1407T-E/MF	Microchip	20+	na	65790	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价

更多MCP1407T-E/AT供应商更新时间2024-6-3 10:30:00

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