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SHF1406SMS	文件：319.87 Kbytes Page：2 Pages	40AMPS200-600VOLTS30nsecHYPERFASTRECTIFIER Features: •GuaranteedHighTemp.trr:50nsecMax(Axial)trr:60nsecMax(SMS) •HyperFastRecovery:30nsecMax. •PIVto600Volts •VoidFreeConstruction •HermeticallySealed •LowReverseLeakageCurrent •ForHighEfficiencyApplications •Replacementfor1N6626Serieswherefast	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SI1406DH	文件：92.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI1406DH	文件：47.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI1406DH	文件：231.68 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMV1406	文件：37.22 Kbytes Page：1 Pages	SILICONHYPERABRUPTTUNINGDIODES SILICONHYPERABRUPTTUNINGDIODES ·Highcapacitanceratios ·Lineartuningbetween2and8volts ·Availableoverabroadrangejunctioncapacitances ·SatisfiesalargenumberofbroadbandapplicationsthrutheVHFfrequencyband	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
SMV1406	文件：544.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconAbruptTuningVaractorDiodes Description TheSMV14xxSeriestuningvaractorsaresiliconabruptjunctiondevices.TheyaredesignedforRFandMicrowaveapplicationsinVCO’s,tunablefilters,andmatchingnetworks.Availableinawiderangeofcapacitanceratiovalues. Features •HighCapacitanceRatios •LinearTuningB	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
TA1406A	文件：154.94 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter460.0MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TA1406A	文件：596.8 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter460MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
THVD1406	文件：1.70605 Mbytes Page：30 Pages	THVD1406,THVD14263.3-Vto5-VRS-485TransceiverswithAuto-directionControland짹8-kVIECESDProtection	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
THVD1406	文件：1.95192 Mbytes Page：29 Pages	THVD1406,THVD14263.3-Vto5-VRS-485TransceiverswithAuto-directionControland짹12-kVIECESDProtection	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
MCP1406-E/P
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
6A，6A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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