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IRFP1405	文件：196.42 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP1405PBF	文件：270.29 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
MCP1405T-E/MF	文件：760.71 Kbytes Page：22 Pages	4.5ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP1405T-E/P	文件：760.71 Kbytes Page：22 Pages	4.5ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP1405T-E/SN	文件：760.71 Kbytes Page：22 Pages	4.5ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MCP1405T-E/SO	文件：760.71 Kbytes Page：22 Pages	4.5ADualHigh-SpeedPowerMOSFETDrivers	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MDP1405	文件：120.56 Kbytes Page：5 Pages	ThickFilmResistorNetworks,Dual-In-Line,MoldedDIP	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MMBD1405	文件：57.47 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBD1405	文件：96.67 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES Case:SOT-23MoldedPlastic OperatingTemperature:-65°Cto150°C	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
MMBD1405A	文件：63.02 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageGeneralPurposeDiode Descriptions Sourcedfromprocess2V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MV1405	文件：11.73 Kbytes Page：1 Pages	SiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode DESCRIPTION: TheASIMV1405isaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
MV1405HX	文件：14.91 Kbytes Page：1 Pages	TUNINGVARACTOR DESCRIPTION: TheASIMV1405HXisaSiliconHyper-AbruptJunctionMicrowaveTuningVaractorDiode,WithScreeningtoTXVLevel.	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
NIPCI-1405	文件：277.56 Kbytes Page：3 Pages	Low-CostSingle-ChannelColororMonochromeImageAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
PCI-1405	文件：277.56 Kbytes Page：3 Pages	Low-CostSingle-ChannelColororMonochromeImageAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
PCP1405	文件：444.25 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PDM1405HA	文件：464.8 Kbytes Page：3 Pages	Mosfet MOSFET140A500V	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社	KSS
PDM1405HA	文件：100.23 Kbytes Page：3 Pages	140A500V	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
PDM1405HA	文件：70.11 Kbytes Page：3 Pages	MOSFETMODULEDual140A/500V MOSFETMODULEDual140A/500V FEATURES DualMOSFETsCascadedCircuit PreventedBodyDiodesofMOSFETsbySBDs,andUltraFastRecoveryDiodesConnectedinParallel 300KHzHighSpeedSwitchingPossibleTYPICALAPPLICATIONS PowerSupplyfortheCommunicationsandtheInductionHeating	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation	NIEC
QF1405	文件：140.66 Kbytes Page：2 Pages	FrontEnd(Antenna)CrystalFilter	AXTALAdvanced XTAL Products Advanced XTAL Products	AXTAL
RN1405	文件：587.71 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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产品属性

产品编号：
MCP1405-E/SO
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4.5A，4.5A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，18ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC

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更多MCP1405-E/SO供应商更新时间2024-6-3 15:42:00

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