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MCM69D536TQ6	文件：212.44 Kbytes Page：14 Pages	32K x 36 Bit Synchronous Dual I/O, Dual Address SRAM The MCM69D536 is a 1M–bit static random access memory, organized as 32K words of 36 bits. It features common data input and data output buffers and incorporates input and output registers on–board with high speed SRAM. • Single 3.3 V ± 5 Power Supply • Fast Access Times: 6/8 ns Max • Throughput 文件：212.44 Kbytes 页数：14 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MCM69D536TQ6R	文件：212.44 Kbytes Page：14 Pages	32K x 36 Bit Synchronous Dual I/O, Dual Address SRAM The MCM69D536 is a 1M–bit static random access memory, organized as 32K words of 36 bits. It features common data input and data output buffers and incorporates input and output registers on–board with high speed SRAM. • Single 3.3 V ± 5 Power Supply • Fast Access Times: 6/8 ns Max • Throughput 文件：212.44 Kbytes 页数：14 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MCO100-12IO1	文件：0 bytes Page：0 Pages	标准封装	艾赛斯 IXYS 上传：苏州银邦电子科技有限公司	艾赛斯 IXYS
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MCO150-12IO1	文件：0 bytes Page：0 Pages	标准封装	艾赛斯 IXYS 上传：苏州银邦电子科技有限公司	艾赛斯 IXYS

更多MCM69D536TQ6供应商更新时间2026-2-10 11:02:00