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UPA2716GR	文件：366.66 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPA2716GR

文件：366.66 Kbytes

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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详细参数

型号：
MCM2716C
制造商：
Motorola Inc
功能描述：
EPROM, 2K x 8, 24 Pin, Ceramic, DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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