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MCH6605-TL-E数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
MCH6605-TL-E规格书详情
简介
MCH6605-TL-E属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的MCH6605-TL-E晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：MCH6605-TL-E
- 生产厂家
：ONSEMI
- FET 功能
：逻辑电平栅极，4V 驱动
- 漏源电压（Vdss）
：50V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：140mA
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：22 欧姆 @ 40mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：1.32nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：6.2pF @ 10V
- 功率 - 最大值
：800mW
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：6-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装
：6-MCPH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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