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MIR521	文件：433.31 Kbytes Page：6 Pages	2WattsHighIn/OutIsolationDIPDC/DCConvertersSingleandDualOutputs	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MIR521	文件：236.06 Kbytes Page：6 Pages	2W,Ultra-HighIsolationDIP,Single&DualOutputDC/DCConverters	MINMAXMinmax Technology Co., Ltd. 捷拓科技台湾捷拓科技股份有限公司	MINMAX
MJE521	文件：45.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：61.55 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE521isasiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorinJedecSOT-32plasticpackage. Itisintendedforusein5to20Waudioamplifiers,generalpurposeamplifierandswitchingcircuits. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE521	文件：128.78 Kbytes Page：4 Pages	4AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON40VOLTS40WATTS PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor ...designedforuseingeneral–purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. •DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=1.0Adc •Complementaryto	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE521	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE521	文件：70.19 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE371,MJE521typesareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforuseingeneralamplifierandswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE521	文件：142.94 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=40V(Min) •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=1A •ComplementtoTypeMJE371 APPLICATIONS •Designedforuseingeneral−purposeamplifierand switchingcircuitsapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE521G	文件：67.68 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor Thesedevicesaredesignedforuseingeneral−purposeamplifierandswitchingcircuits.Recommendedforusein5to10Wattaudioamplifiersutilizingcomplementarysymmetrycircuitry. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC =1.0Adc •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMDT521DW	文件：219.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarDigitalTransistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
MC521L
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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更多MC521L供应商更新时间2025-5-6 16:25:00

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