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MC33152VDG集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

MC33152VDG

参数属性

MC33152VDG 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

High Speed Dual MOSFET Drivers
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

228.83 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 12:29:00

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MC33152VDG规格书详情

MC33152VDG属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由安森美半导体制造生产的MC33152VDG栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

The MC34152/MC33152 are dual noninverting high speed drivers specifically designed for applications that require low current digital signals to drive large capacitive loads with high slew rates. These devices feature low input current making them CMOS/LSTTL logic compatible, input hysteresis for fast output switching that is independent of input transition time, and two high current totem pole outputs ideally suited for driving power MOSFETs. Also included is an undervoltage lockout with hysteresis to prevent system erratic operation at low supply voltages. Typical applications include switching power supplies, dc−to−dc converters, capacitor charge pump voltage doublers/inverters, and motor controllers. This device is available in dual−in−line and surface mount packages.

特性 Features

• Two Independent Channels with 1.5 A Totem Pole Outputs

• Output Rise and Fall Times of 15 ns with 1000 pF Load

• CMOS/LSTTL Compatible Inputs with Hysteresis

• Undervoltage Lockout with Hysteresis

• Low Standby Current

• Efficient High Frequency Operation

• Enhanced System Performance with Common Switching Regulator Control ICs

• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site and Change Controls

• These are Pb−Free and Halide−Free Devices

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MC33152VDG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    6.1V ~ 18V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.6V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    36ns,32ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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