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TA1458A	文件：481.21 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter954.5MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TA1458A	文件：238.38 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter954.50MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TZ1458A	文件：345.65 Kbytes Page：7 Pages	SMD2.5x2.026.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1458C	文件：137.64 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA1458	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1458	文件：209.54 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAY LOWSPEEDSWITCHINGUSE(DARLINGTONTRANSISTOR) INDUSTRIALUSE FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlingtonTransistor.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1458H	文件：209.54 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAY LOWSPEEDSWITCHINGUSE(DARLINGTONTRANSISTOR) INDUSTRIALUSE FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlingtonTransistor.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1458H	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC1458	文件：354.59 Kbytes Page：11 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Internallyfrequency-compensated •Shortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC1458	文件：778.7 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEDUALOPERATIONALAMPLIFIERS [NEC]	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
MC1458IDT
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
OP AMP DUAL GP 22V 8PIN SO - Tape and Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳和润天下电子科技有限公司	MC1458IDT	ST/意法半导体	22+	SO-8	6006	原装正品现货可开增值税发票	询价
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更多MC1458IDT供应商更新时间2023-10-9 11:26:00

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