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SD1458	文件：49.35 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVETRANSISTORSTVLINEARAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD1458isagoldmetallizedepitaxialsiliconNPNplanartransistorusingdiffusedemitterballastresistorsforhighlinearityClassAoperationinVHFandbandIIItelevisiontransmittersandtransposers. ■170-230MHz ■28VOLTS ■IMD−55dB ■COMMONEMITTER ■GOLDMETAL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SFT1458	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1458-H	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SFT1458-TL-H	文件：371.82 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
TA1458A	文件：481.21 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter954.5MHz	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TA1458A	文件：238.38 Kbytes Page：6 Pages	SAWFilter954.50MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TZ1458A	文件：345.65 Kbytes Page：7 Pages	SMD2.5x2.026.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TZ1458C	文件：137.64 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.026.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA1458	文件：51.78 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAYLOWSPEEDSWITCHINGUSEDARLINGTONTRANSISTORINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1458isNPNsiliconepitaxialDarlingtonPowerTransistorArraythatbuiltinSurgeAbsorberand4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1458	文件：209.54 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY NPNSILICONPOWERTRANSISTORARRAY LOWSPEEDSWITCHINGUSE(DARLINGTONTRANSISTOR) INDUSTRIALUSE FEATURES •SurgeAbsorber(C-B)builtin. •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFEforDarlingtonTransistor.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
MC1458DT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Hi-Performance
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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