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MC1413DR2G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

MC1413DR2G

功能描述

High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays

文件大小

76.22 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 23:18:00

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产品属性

  • 型号:

    MC1413DR2G

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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