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MC14011BDR2	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. Features •SupplyVoltageRange=3.0V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MC14011BDR2G	文件：171.86 Kbytes Page：14 Pages	B-Suffix Series CMOS Gates B-SuffixSeriesCMOSGates TheBSerieslogicgatesareconstructedwithPandNchannelenhancementmodedevicesinasinglemonolithicstructure(ComplementaryMOS).Theirprimaryuseiswherelowpowerdissipationand/orhighnoiseimmunityisdesired. Features •SupplyVoltageRange=3.0V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MC14011BDR2G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）门和反相器描述：IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NLV14011BDR2G	文件：135.47 Kbytes Page：11 Pages	B-SuffixSeriesCMOSGates	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MC14011BDR2
功能描述：
逻辑门 3-18V Quad 2-Input
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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