双路 4 输入 NAND 门极

此类双路 4 输入 NAND 门极是在单片结构中使用 P 和 N 沟道增强模式器件构建的（互补 MOS）。其主要用途是需要低功耗和/或高抗扰度的场合。 • Supply Voltage Range = 3.0 Vdc to 18 Vdc\n• All Outputs Buffered\n• Capable of Driving Two Low-power TTL Loads or One Low-power Schottky TTL Load Over the Rated Temperature Range.\n• Double Diode Protection on All Inputs\n• Pin-for-Pin Replacements for Corresponding CD4000 Series B Suffix Devices\;

ONSEMI

安森美半导体

Dual Type D Flip-Flop

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Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 门和反相器 描述：IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

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Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 门和反相器 描述：IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

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Package：14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 门和反相器 描述：IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP

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