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PTF10195	文件：328.96 Kbytes Page：6 Pages	125 Watts, 869-894 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor Description The 10195 is an internally matched 125–watt GOLDMOS FET intended for cellular, GSM, D-AMPS, CDMA and EDGE applications. This device operates at 53 efficiency with 13 dB of gain minimum. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. • INTERNALLY MATCHED • 文件：328.96 Kbytes 页数：6 Pages	ERICSSON 爱立信	ERICSSON
SKI10195	文件：241.13 Kbytes Page：6 Pages	N ch Trench Power MOSFET 文件：241.13 Kbytes 页数：6 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
SKI10195	文件：299.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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