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MC100EP08DR2G集成电路（IC）的门反相器-多功能可配置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MC100EP08DR2G |
| 参数属性 | MC100EP08DR2G 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的门反相器-多功能可配置；产品描述：IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC |
| 功能描述 | ECL 2-Input Differential XOR/XNOR |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
178.11 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | MC100EP08DR2G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MC100EP08DR2G规格书详情
MC100EP08DR2G属于集成电路（IC）的门反相器-多功能可配置。由安森美半导体公司制造生产的MC100EP08DR2G门和反相器 - 多功能，可配置可配置逻辑栅极系列产品能以与标准逻辑栅极类似的方式，对单个逻辑信号执行基本逻辑运算，但并非局限于一个特定功能（例如 AND、NAND 等）。它们通常在内部使用少量逻辑门来实现，经过选择和互连后，以便通过选择操作数据所应用的输入以及任何未使用的输入在驱动后的逻辑状态，来配置所实现的整体逻辑功能。
产品属性
更多- 产品编号：
MC100EP08DR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 门和反相器 - 多功能，可配置
- 系列：
100EP
- 包装：
管件
- 逻辑类型：
异或/异或非门
- 输入数：
2 输入（1，1）
- 施密特触发器输入：
无
- 输出类型：
差分
- 电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE XOR/XNOR ECL 2INP 8-SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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