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MBT3906DW1	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：132.5 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：422.11 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors The MBT3904DW1T1, MBT3906DW1T1, and MBT3946DW1T1 devices are spin–offs of our popular SOT–23/SOT–323 three–leaded devices. They are designed for general purpose amplifier applications and are housed in the SOT–363 six–leaded surface mount package. By putting two d 文件：422.11 Kbytes 页数：10 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MBT3906DW1_13	文件：132.5 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：132.5 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3906DW1T1	文件：720.39 Kbytes Page：10 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：720.39 Kbytes 页数：10 Pages	ETL 亚历电子	ETL
MBT3906DW1T1	文件：111.24 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：111.24 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBT3906DW1T1G	文件：184.75 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：184.75 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MBT3906DW1T1G_09	文件：184.75 Kbytes Page：6 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：184.75 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
MBT3906DW1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 40V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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