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MJE340	文件：502.58 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMETARYSILICONPOWERTRANSISTORS ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-NPNDEVICES APPLICATIONS ■LINEARANDSWITCHINGINDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION TheMJE340isaSiliconEpitaxialPlanarNPN transistorintendedforuseinmediumpower linearandswitchingapplications.Itismountedin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE340	文件：98.81 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Usefulforhigh-voltagegeneralpurposeapplications ·Suitablefortransformerless,line-operatedequipment	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE340	文件：73.17 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor PlasticMedium−PowerNPNSiliconTransistor Thisdeviceisusefulforhigh−voltagegeneralpurposeapplications. Features •SuitableforTransformerless,Line−OperatedEquipment •ThermopadConstructionProvidesHighPowerDissipationRatingforHighReliability •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE340	文件：223.1 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=300V(Min) •DCCurrentGain-:hFE=30(Min)@IC=50mA •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=50mA •ComplementtothePNPMJE350 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandrel	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJE340	文件：52.78 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSITORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE340,MJE350typeareComplementarySiliconPowerTransistorsdesignedforpoweroutputstagesinconsumerproductapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE340	文件：100.38 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE340	文件：144.23 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector–EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=300V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=100(Min)@IC=50mA ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=50mA ·ComplementtothePNPMJE350 APPLICATIONS ·Designedforhighvoltage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE340	文件：244.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTOR ForuseinHighVoltageGeneralPurposeApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MJE340G	文件：73.17 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium?뭁owerNPNSiliconTransistor PlasticMedium−PowerNPNSiliconTransistor Thisdeviceisusefulforhigh−voltagegeneralpurposeapplications. Features •SuitableforTransformerless,Line−OperatedEquipment •ThermopadConstructionProvidesHighPowerDissipationRatingforHighReliability •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE340G	文件：118.25 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerNPNSiliconTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MBRS340_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 3.0a Power Rectifier Schottky
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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