MBRS330T3数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
MBRS330T3规格书详情
描述 Description
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 3.0 AMPERES 20, 30, 40 VOLTSThese devices employ the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes, in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system.
特性 Features
• Small Compact Surface Mountable Package with J−Bend Leads
• Rectangular Package for Automated Handling
• Highly Stable Oxide Passivated Junction
• Very Low Forward Voltage Drop (0.5 V Max @ 3.0 A, TJ = 25°C)
• Excellent Ability to Withstand Reverse Avalanche Energy Transients
• Guard−Ring for Stress Protection
技术参数
- 产品编号：
MBRS330T3
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
4A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-214AB，SMC
- 供应商器件封装：
SMC
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 4A SMC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
DO214AB,SMC |
7350 |
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ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5000 |
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ON |
2016+ |
SMC |
3020 |
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三年内 |
1983 |
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ON/安森美 |
25+ |
DO-214AC |
32000 |
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24+ |
NA |
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ON |
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DO-214A |
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ON |
24+/25+ |
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