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MBRF835CT	文件：248.59 Kbytes Page：3 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MC835	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MS835	文件：91.1 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●175°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●Vrrm30To45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MS835	文件：88.72 Kbytes Page：3 Pages	8AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MS835	文件：56.27 Kbytes Page：3 Pages	8Ampschottkybarrierrectifier20to100volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MSP835	文件：91.77 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●150°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●VRRM35to45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUR835	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR835	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MV835	文件：33.07 Kbytes Page：1 Pages	ABRUPTVARACTORDIODES ABRUPTVARACTORDIODES	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
MZ835	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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产品属性

产品编号：
MBRD835L-T-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252，（D-Pak）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MBRD835L-T-F	Diodes Incorporated	25+	TO-252 (D-Pak)	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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