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MUR660CT	文件：94.14 Kbytes Page：1 Pages	Glasspassivatedchip Features •Glasspassivatedchip •Superfastswitchingtimeforhightefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Highsurgecapacity	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR660CT	文件：1.39304 Mbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIERS FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MUR660FCT	文件：455.25 Kbytes Page：2 Pages	6AmpSuperFastGlassPassivatedRectifier50to600Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MURD660CT	文件：54.38 Kbytes Page：4 Pages	6.0ASURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDDUALSUPERFASTRECTIFIER GlassPassivatedDieConstruction IdeallySuitedforAutomaticAssembly LowProfilePackage HighSurgeCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency Super-FastRecoveryTime IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,Inverters,andAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MURF660CT	文件：75.84 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MURF660CT	文件：1.39948 Mbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIERS FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
NHPD660	文件：73.26 Kbytes Page：5 Pages	SwitchModePowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NI660X	文件：356.5 Kbytes Page：10 Pages	32-BitCounter/Timers	NI National Instruments Inc.	NI
NRTS660MFD	文件：74.71 Kbytes Page：5 Pages	VeryLowForwardVoltageTrench-basedSchottkyRectifier ThistrenchSchottkyrectifierinthedualflagSO−8flatlead packageoffersdesignersauniquedegreeofversatilityanddesign freedom.Thetwodevicesareelectricallyindependentandcanbeused separately,ascommoncathode,ascommonanodeorinseriesasa functionofboardlevellayou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBD660CTG	文件：112.1 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MBRD660CTTRR
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252AA）
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBRD660CTTRR供应商更新时间2025-7-29 9:24:00

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