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MBRD5H100T4G中文资料肖特基功率整流器,开关模式,5.0 A,100 V数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MBRD5H100T4G

参数属性

MBRD5H100T4G 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 5A DPAK

功能描述

肖特基功率整流器,开关模式,5.0 A,100 V
DIODE SCHOTTKY 100V 5A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:00:00

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MBRD5H100T4G规格书详情

描述 Description

The Schottky Rectifier employs the Schottky Barrier principle in a large metal to silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. It is ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supplies, free wheeling diodes and polarity protection diodes.

特性 Features

• Guardring for Stress Protection
• Low Forward Voltage
• 175°C Operating Junction Temperature
• Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
• Short Heat Sink Tab Manufactured - Not Sheared!
• NBRD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

应用 Application

• Power Supplies
• Power Supplies

简介

MBRD5H100T4G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的MBRD5H100T4G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MBRD5H100T4G

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :100

  • VF Max (V)

    :0.71

  • IRM Max (µA)

    :3.5

  • IO(rec) Max (A)

    :5

  • IFSM Max (A)

    :105

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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