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MBRB30H60CT-1G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
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厂商型号 |
MBRB30H60CT-1G |
参数属性 | MBRB30H60CT-1G 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V I2PAK |
功能描述 | Switch-mode Power Rectifier 60 V, 30 A |
封装外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
文件大小 |
233.21 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 17:42:00 |
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MBRB30H60CT-1G规格书详情
MBRB30H60CT-1G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体公司制造生产的MBRB30H60CT-1G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
Features and Benefits
• Low Forward Voltage
• Low Power Loss/High Efficiency
• High Surge Capacity
• 175°C Operating Junction Temperature
• 30 A Total (15 A Per Diode Leg)
• Guard−Ring for Stress Protection
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• NRVBB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements
• These are Pb−Free and Halide Free Devices*
Applications
• Power Supply − Output Rectification
• Power Management
• Instrumentation
Mechanical Characteristics:
• Case: Epoxy, Molded
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• Weight (Approximately): 1.5 Grams (I2PAK)
Weight (Approximately): 1.7 Grams (D2PAK)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
• Lead Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
产品属性
更多- 产品编号:
MBRB30H60CT-1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 系列:
SWITCHMODE™
- 包装:
管件
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
15A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 175°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商器件封装:
I2PAK(TO-262)
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V I2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
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ON |
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TO-263 |
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23+ |
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24+ |
I2PAK(TO-262) |
8866 |
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