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MBRB30H60CT-1数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

MBRB30H60CT-1

参数属性

MBRB30H60CT-1 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE SCHOTTKY

功能描述

Schottky Barrier Rectifier, H-Series, 60 V, 30 A
DIODE SCHOTTKY

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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MBRB30H60CT-1规格书详情

描述 Description

Enhanced Schottky rectifiers with lower VF, higher surge, and lower IR parameters

特性 Features

• Low Forward Voltage
• Low Power Loss/High Efficiency
• High Surge Capacity
• 175C Operating Junction Temperature
• 30A Total (15A Per Diode Leg)
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These are Pb-Free Packages
• NRVBB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements

应用 Application

• Output Rectification
• Power Management
• Instrumentation
• Power Supply

简介

MBRB30H60CT-1属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的MBRB30H60CT-1二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MBRB30H60CT-1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Common Cathode

  • VRRM Min (V)

    :60

  • VF Max (V)

    :0.78

  • IRM Max (µA)

    :300

  • IO(rec) Max (A)

    :30

  • IFSM Max (A)

    :260

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2/D2PAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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