Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance plea

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Lower power losses, high efficiency

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Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\nLower power losses, high efficiency\nLow forward voltage drop;

Vishay

威世

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division