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MBR830中文资料PDF规格书

MBR830
厂商型号

MBR830

参数属性

MBR830 封装/外壳为8-PowerTDFN,5 引线;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN

功能描述

8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

文件大小

428.73 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称

KERSEMI

中文名称

Kersemi Electronic Co., Ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 23:00:00

MBR830规格书详情

Features

● Schottky Barrier Chip

● Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

● Low Power Loss, High Efficiency

● High Surge Capability

● High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

● For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Application

● Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

产品属性

  • 产品编号:

    MBR830MFST3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN,5 引线

  • 供应商器件封装:

    5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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