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MBR830分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

MBR830
厂商型号

MBR830

参数属性

MBR830 封装/外壳为8-PowerTDFN,5 引线;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN

功能描述

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

封装外壳

8-PowerTDFN,5 引线

文件大小

106.87 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 HY ELECTRONIC CORP.
企业简称

HY

中文名称

HY ELECTRONIC CORP.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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MBR830规格书详情

FEATURES

● Metal of silicon rectifier , majority carrier conduction

● Guard ring for transient protection

● Low power loss,high efficiency

● High current capability,low VF

● High surge capacity

● Plastic package has UL flammability classification 94V-0

● For use in low voltage,high frequency inverters,free wheeling,and polarity protection applications

产品属性

  • 产品编号:

    MBR830MFST3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN,5 引线

  • 供应商器件封装:

    5-DFN(5x6)(8-SOFL)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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