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MBR3535R分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

MBR3535R
厂商型号

MBR3535R

参数属性

MBR3535R 封装/外壳为DO-203AA,DO-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4

功能描述

Schottky Power Diode, 35A

封装外壳

DO-203AA,DO-4,接线柱

文件大小

123.45 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Naina Semiconductor ltd.
企业简称

NAINA

中文名称

Naina Semiconductor ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 17:21:00

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MBR3535R规格书详情

特性 Features

• Fast Switching

• Low forward voltage drop

• High surge capability

• High efficiency, low power loss

• Normal and Reverse polarity

产品属性

  • 产品编号:

    MBR3535R

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    肖特基,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-4

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4

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