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MMB352	文件：285.69 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIERVOLTAGERANGE-50to1000Volts VOLTAGERANGE-50to1000Volts CURRENT-35Amperes FEATURES DiffusedJunction Surgeoverloadratings-400Amperes MetalcaseforMaximumHeatDissipation Lowforwardvoltagedrop HighReliability Highcurrentcapability MECHANICALDATA *Case:Meta	DCCOM Dc Components	DCCOM
MMB352W	文件：264.1 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERSPECIALISTS VOLTAGERANGE-50to1000Volts CURRENT-35Amperes FEATURES DiffusedJunction Surgeoverloadratings-400Amperes MetalcaseforMaximumHeatDissipation Lowforwardvoltagedrop HighReliability Highcurrentcapability MECHANICALDATA *Case:Meta	DCCOM Dc Components	DCCOM
MMBD352	文件：45.93 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352	文件：48.01 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierDiode ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra–fastswitchingcircuits. •VeryLowCapacitance—LessThan1.0pF@ZeroVolts •LowForwardVoltage—0.5Volts(Typ)@IF=10mA	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBD352	文件：41.41 Kbytes Page：4 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes ThesedevicesaredesignedprimarilyforUHFmixerapplicationsbutaresuitablealsoforuseindetectorandultra−fastswitchingcircuits. Features •VeryLowCapacitance−LessThan1.0pF@ZeroV •LowForwardVoltage−0.5V(Typ)@IF=10mA •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBD352	文件：84.98 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：133.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTHIGHFREQUENCYSCHOTTKYDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBD352	文件：229.52 Kbytes Page：3 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMBD352	文件：237.46 Kbytes Page：2 Pages	DualHotCarrierMixerDiodes DualHotCarrierMixerDiodes Features Verylowcapacitance—Lessthan1.0pF@zeroV. Lowforwardvoltage—IF=10mA. PowerdissipationPd=300mW Pb/RoHSFree Applications DesignedprimarilyforUHFmixerapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMBD352	文件：53.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowForwardVoltage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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详细参数

型号：
MBR352W
制造商：
DCCOM
制造商全称：
Dc Components
功能描述：
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR352W供应商更新时间2025-6-21 10:12:00

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