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MBR30H100MFS中文资料30 A,100 V 肖特基二极管,采用 SO-8FL 封装数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MBR30H100MFS

参数属性

MBR30H100MFS 封装/外壳为8-PowerTDFN,5 引线;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

功能描述

30 A,100 V 肖特基二极管,采用 SO-8FL 封装
DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN

封装外壳

8-PowerTDFN,5 引线

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 20:00:00

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MBR30H100MFS规格书详情

描述 Description

30 A, 100 V Schottky Diode in SO-8FL

特性 Features

• Low Power Loss / High Efficiency
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe AfterBoard Mounting
• Guardring for Stress Protection
• Low Forward Voltage Drop
• 175°C Operating Junction Temperature
• Wettable Flacks Option Available
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101Qualified and PPAP Capable
• These are Pb−Free and Halide−Free Devices

应用 Application

• Automotive engine control modules
• Automotive infotainment modules
• Automotive LED headlighting
• Compact notebook adapters
• High frequency SMPS
• Automotive

简介

MBR30H100MFS属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的MBR30H100MFS二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MBR30H100MFS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VRRM Min (V)

    :100

  • VF Max (V)

    :0.9

  • IRM Max (µA)

    :100

  • IO(rec) Max (A)

    :30

  • IFSM Max (A)

    :300

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

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