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MBRB2545CT	文件：109.77 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifierD2PAKSurfaceMountPowerPackage SWITCHMODE™PowerRectifier D2PAKSurfaceMountPowerPackage TheD2PAKPowerRectifieremploystheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •Center–TapConfiguration •GuardringforStressProtection •LowForward	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRB2545CT	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,2x15A FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB2545CT	文件：512.69 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB2545CT	文件：134.82 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB2545CT	文件：575.25 Kbytes Page：3 Pages	25ADualSchottkyRectifiers PRODUCTSUMMARY Voltageratingsavailablefrom35to60Volts FEATURES •PlasticpackageshaveUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Dualrectifierconstruction,positivecentertap •Metal-siliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowpowerloss,hi	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
MBRB2545CT	文件：86.71 Kbytes Page：2 Pages	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton •Guardringfortransientprotection •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability,HighEfficiency •LowPowerLoss	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRB2545CT	文件：61.42 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifierD2PAKSurfaceMountPowerPackage SWITCHMODEPowerRectifier D2PAKSurfaceMountPowerPackage TheD2PAKPowerRectifierisastate−of−the−artdevicethatemploystheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •Center−TapConfiguration •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°C	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB2545CT	文件：844.65 Kbytes Page：4 Pages	MBRB2545CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 200℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Free	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRB2545CT	文件：215.88 Kbytes Page：3 Pages	30AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRB2545CT	文件：778.31 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierRectifier Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Forsurfacemountedapplication •Metalofsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltage,highefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Foruseinlowvoltage,highfre	Surge Surge Components	Surge

详细参数

型号：
MBR2545CT_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 25 amp Rectifiers Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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更多MBR2545CT_Q供应商更新时间2025-5-28 14:33:00

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