MBR2035中文资料Schottky Rectifiers数据手册ONSEMI规格书
MBR2035规格书详情
特性 Features
• Low power loss, high efficiency.
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling, and polarity protection applications.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction.
• High current capacity, low forward voltage drop.
• Guard ring for over voltage protection.
简介
MBR2035属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的MBR2035二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 产品编号:
MBR2035CT
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
管件
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
20A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220-3
- 描述:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
22+ |
TO220 |
12245 |
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